今天pink来给大家分享一些关于13001参数三极管 13001 用什么常见的型号可以代替方面的知识吧，希望大家会喜欢哦
1、00系列的所有三极管都可以代替13001，还有就是普通的BU406等等都行，只要参数满足的都可以，比如Vceo=500V的管子，集电极电流在500mA的NPN管子都行。
2、MJE13001是硅NPN型小功率高压高速开关三极管，其主要参数如下：
3、C-B极最高耐压：Vcbo=500V
4、C-E极最高耐压：Vceo=400V
5、E-B极最高耐压：Vebo=9V
6、集电极电流：Ic=0.3A
7、耗散功率：PC=7W
8、直流放大系数：HFE=8~40
9、典型应用：荧光灯镇流器
10、封装形式：TO-92
三极管替换要看被替换的三极管的作用和产品参数。当电路使用三极管时，并不是利用三极管所有的参数，而是只利用其中部分参数，所以替换原则第1就是看功用。
例如用于高频小信号放大的三极管，主要看三极管的使用频率，其次看放大倍数；如果是用做低频大功率放大，主要就看三极管的功率、Uce、耐压)Ice（最大电流），其次看三极管的频率。总之，不同用途的三极管代换原则是不一样的。
扩展资料：
替换三极管主要看的产品参数
1、特征频率
当f=fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
fT称作链芹增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会棚族毕下降．fT也可以定义为β=1时的频率；
2、电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围；
2、hFE
电流放大倍数；
4、VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压；
5、PCM
最大允许耗散功率；
6、封装形式
指定该管的外穗竖观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
参考资料：百度百科-三极管
13001三极管参数:
ParameterSymbolTestconditionsMINTYPMAXUNIT
Collector-basebreakdownvoltageV(BR)CBOIc=100μA，IE=0600V
Collector-emitterbreakdownvoltageV(BR)CEOIC=1mA,IB=0400V
Emitter-basebreakdownvoltageV(BR)EBOIE=100μA，IC=07V
Collectorcut-offcurrentICBOVCB=600V,IE=0100μA
Collectorcut-offcurrentICEOVCE=400V,IB=0200μA
Emittercut-offcurrentIEBOVEB=7V,IC=0100μA
hFE（1）VCE=20V,IC=20mA1040
DCcurrentgain
hFE（2）VCE=10V,IC=0.25mA5
Collector-emittersaturationvoltageVCE(sat)IC=50mA,IB=10mA0.5V
Base-emittersaturationvoltageVBE(sat)IC=50mA,IB=10mA1.2V
Base-emittervoltageVBEIE=100mA,1.1V
三极管13001是小功率电子镇流器，是节能灯里最常用的三极管。特点是高频高耐压。
13001三极管的主要参数包括如下所示：
Vcbo=500V；Vceo=400V；Vebo=9V；Icm=1.5A；Pcm=900mW
拓展资料：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的衫老兆半导体器件其含谈作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
参考资料：百度百科——三极管或租
13001不能用13003代替，如果非要换上的话，后果就是换上一通电就炸裂。数羡还有斗毕纯可能损坏后面的元器件。但是13003的可以用13001的代替！以下是13001和13003的主要参数：
13001主要参数：
集电极-基极最高耐压VCBO=500V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流IC=0.3A
耗散功率PC=7W
13003主要参数：
集电极-基极电压VCBO
700
V
集电极-发射极电压VCEO
400
V
发射极-基极电压VEBO
9V
集电极电空咐流IC
2.0
A
集电极耗散功率PC
40
W
本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助